STP11N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ DM2
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 40A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 3.87 EUR |
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Technische Details STP11N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STP11N60DM2 nach Preis ab 1.31 EUR bis 4.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STP11N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STP11N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2000+ | 1.31 EUR |