STP11N65M5 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details STP11N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V |
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STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.6A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC |
Produkt ist nicht verfügbar |