STP11NM60 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 7.5 EUR |
| 50+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |
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Technische Details STP11NM60 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.
Weitere Produktangebote STP11NM60 nach Preis ab 3.33 EUR bis 8.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp |
auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM60 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP11NM60 |
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auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A Gate charge: 30nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A Gate charge: 30nC |
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