STP11NM60FD

STP11NM60FD STMicroelectronics


STP11NM60FD.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+2.89 EUR
28+ 2.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
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Technische Details STP11NM60FD STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

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STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics STP11NM60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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25+2.89 EUR
28+ 2.6 EUR
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STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002479.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+12.25 EUR
50+ 9.7 EUR
100+ 8.32 EUR
500+ 7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics sgsts34647_1-2282407.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 105-119 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.32 EUR
10+ 11.44 EUR
25+ 9.8 EUR
100+ 8.4 EUR
250+ 8.37 EUR
500+ 7.44 EUR
1000+ 6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMICROELECTRONICS 1690475.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP11NM60FD Hersteller : ST en.CD00002479.pdf N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP11NM60FD
Produktcode: 167166
en.CD00002479.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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