Weitere Produktangebote STP11NM60FD nach Preis ab 3.02 EUR bis 9.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
| STP11NM60FD | Hersteller : ST |
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| STP11NM60FD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||
 |
STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |