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STP11NM60FD

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Produktcode: 167166
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.61 EUR
75+2.26 EUR
79+2.09 EUR
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STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.63 EUR
75+2.33 EUR
78+2.19 EUR
100+2.06 EUR
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STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics sgsts34647-1.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 600 Stücke:
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1+11.54 EUR
10+6.12 EUR
100+5.59 EUR
500+4.82 EUR
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STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics en.CD00002479.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.57 EUR
50+6.1 EUR
100+5.58 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP11NM60FD STP11NM60FD STMICROELECTRONICS 1690475.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP11NM60FD ST en.CD00002479.pdf Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP11NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.61 EUR
75+2.26 EUR
79+2.09 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: ST
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
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auf Bestellung 50 Stücke:
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