Produkte > STMICROELECTRONICS > STP11NM60FD
STP11NM60FD

STP11NM60FD STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71 Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.55 EUR
29+2.47 EUR
50+2.4 EUR
100+2.35 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
2000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STP11NM60FD STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STP11NM60FD nach Preis ab 2.35 EUR bis 6.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: FDmesh™
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.55 EUR
29+2.47 EUR
50+2.4 EUR
100+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002479.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.6 EUR
50+4.44 EUR
100+4.38 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics sgsts34647-1.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.65 EUR
10+4.49 EUR
100+4.42 EUR
500+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMICROELECTRONICS 1690475.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD Hersteller : ST en.CD00002479.pdf Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD
Produktcode: 167166
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

en.CD00002479.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM60FD Hersteller : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH