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Technische Details STP11NM60FD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP11NM60FD nach Preis ab 1.92 EUR bis 9.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
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| STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
STP11NM60FD THT N channel transistors |
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| STP11NM60FD | Hersteller : ST |
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STP11NM60FD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STP11NM60FD Produktcode: 167166
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP11NM60FD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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