STP12N120K5 STMicroelectronics
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Technische Details STP12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm.
Weitere Produktangebote STP12N120K5 nach Preis ab 13.78 EUR bis 26.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
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STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package |
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STP12N120K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm |
auf Bestellung 1032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 |
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STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 44.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 44.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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