STP12N50M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.03 EUR |
| 2000+ | 0.99 EUR |
| 5000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details STP12N50M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP12N50M2 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
STP12N50M2 THT N channel transistors |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |