STP12N50M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Technische Details STP12N50M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STP12N50M2 nach Preis ab 1.48 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP12N50M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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