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STP12NK30Z

STP12NK30Z STMicroelectronics

stp12nk30z.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
89+1.92 EUR
100+1.83 EUR
500+1.73 EUR
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Technische Details STP12NK30Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics stp12nk30z.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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88+2.01 EUR
89+1.96 EUR
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2000+1.64 EUR
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STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics 1518026408466210cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.56 EUR
75+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics STP12NK30Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 143 Stücke:
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24+3.59 EUR
48+1.81 EUR
53+1.63 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STP12NK30Z STP12NK30Z STMICROELECTRONICS SGSTS36949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
54+4.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics en.CD00003186.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
50+2.84 EUR
100+2.59 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP12NK30Z STP12NK30Z STMicroelectronics en.CD00003186.pdf MOSFETs N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+2.39 EUR
100+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.87 EUR
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STP12NK30Z ST en.CD00003186.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
89+1.96 EUR
100+1.9 EUR
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STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.56 EUR
75+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.77 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 5.6A; 90W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
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24+3.59 EUR
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53+1.63 EUR
100+1.57 EUR
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STP12NK30Z SGSTS36949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP12NK30Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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49+5.2 EUR
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STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.24 EUR
50+2.84 EUR
100+2.59 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP12NK30Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.34 EUR
10+2.39 EUR
100+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.87 EUR
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STP12NK30Z en.CD00003186.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 300V 9A STP12NK30Z TSTP12NK30Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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