STP13N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STP13N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STP13N80K5 nach Preis ab 2.63 EUR bis 8.5 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
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| STP13N80K5 | Hersteller : ST |
N-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP13N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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