Technische Details STP13N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP13N80K5 nach Preis ab 2.37 EUR bis 8.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STP13N80K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP13N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP13N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP13N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP13N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP13N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP13N80K5 | ST |
N-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.37 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
MOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.28 EUR |
| 10+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 3.39 EUR |
| 500+ | 2.84 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.31 EUR |
| 50+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.62 EUR |
| 36+ | 6.47 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 4.66 EUR |
| STP13N80K5 |
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Hersteller: ST
N-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.01 EUR |