STP13NM60ND STMicroelectronics
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Technische Details STP13NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP13NM60ND nach Preis ab 2.29 EUR bis 7.60 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V |
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STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP13NM60ND | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 109W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: FDmesh™ II Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II |
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| STP13NM60ND | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.93A; Idm: 44A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.93A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 109W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: FDmesh™ II |
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