STP150N10F7 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 62+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.6 EUR |
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Technische Details STP150N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP150N10F7 nach Preis ab 1.74 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STP150N10F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Case: TO220-3 Kind of package: tube Technology: STripFET™ F7 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 117nC On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 250W Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STP150N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 62+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.16 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 117nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.75 EUR |
| 29+ | 2.47 EUR |
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 5.97 EUR |
| 50+ | 3.02 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.07 EUR |
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| STP150N10F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH