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STP150N10F7

STP150N10F7 STMicroelectronics

5dm00082643.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP150N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm.

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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00082643.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics stp150n10f7-1851533.pdf MOSFET N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371848.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
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STP150N10F7 STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics 5dm00082643.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00082643.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Technology: STripFET™ F7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
Mounting: THT
Case: TO220-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP150N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00082643.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 117nC
Technology: STripFET™ F7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 250W
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