STP150N10F7AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V STripFET F7 Power MOSFET for Automotive Applications
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 6.97 EUR |
| 10+ | 6.20 EUR |
| 50+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 250+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
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Technische Details STP150N10F7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP150N10F7AG nach Preis ab 3.14 EUR bis 7.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 50 V |
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STP150N10F7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 127nC Pulsed drain current: 440A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP150N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 127nC Pulsed drain current: 440A |
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