STP16N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.93 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
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Technische Details STP16N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STP16N60M2 nach Preis ab 2.63 EUR bis 5.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STP16N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP16N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.3 EUR |
| 67+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.63 EUR |