STP16N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 125 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 6+ | 4.76 EUR |
| 50+ | 3.82 EUR |
| 100+ | 3.14 EUR |
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Technische Details STP16N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STP16N60M2 nach Preis ab 2.49 EUR bis 5.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 515-529 Tag (e) |
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STP16N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP16N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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