STP16N65M5

STP16N65M5 STMicroelectronics


en.CD00218186.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
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Technische Details STP16N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP16N65M5 STP16N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
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STP16N65M5 STP16N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP16N65M5 Hersteller : ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
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STP16N65M5 STP16N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP16N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP16N65M5 STP16N65M5 Hersteller : STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
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Drain current: 7.3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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