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STP18N55M5

STP18N55M5 STMicroelectronics

stp18n55m5.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP18N55M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V.

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STP18N55M5 STP18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics stp18n55m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18N55M5 STP18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics stp18n55m5.pdf MOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
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