STP18N60DM2 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
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Technische Details STP18N60DM2 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.6A, Power dissipation: 110W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.295Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 48A, Gate charge: 20nC.

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STP18N60DM2 STP18N60DM2 STMicroelectronics STP18N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
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