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STP18N60M2

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Transistoren > MOSFET N-CH

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STP18N60M2 STP18N60M2 Hersteller : STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
46+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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STP18N60M2 STP18N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.3 EUR
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STP18N60M2 STP18N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.54 EUR
50+2.25 EUR
100+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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STP18N60M2 STP18N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2362751.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP18N60M2 Hersteller : ST en.DM00086800.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 ODPOWIEDNIK: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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STP18N60M2 STP18N60M2 Hersteller : STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18N60M2 Hersteller : STM en.DM00086800.pdf MOSFET N-CH 600V 13A TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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STPS20H100CFP (Transistor)
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