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STP18N60M2

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Produktcode: 145124
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP18N60M2 STP18N60M2 STMICROELECTRONICS 2362751.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
112+2.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.03 EUR
2000+2 EUR
5000+1.92 EUR
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STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 52A
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP18N60M2 ST en.DM00086800.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP18N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.3 EUR
112+2.08 EUR
113+1.9 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.65 EUR
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STP18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 197 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.03 EUR
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5000+1.92 EUR
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STP18N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 52A
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
auf Bestellung 39 Stücke:
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STP18N60M2 en.DM00086800.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STPS20H100CFP (Transistor)
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