Weitere Produktangebote STP18N60M2 nach Preis ab 2.05 EUR bis 7.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP18N60M2 | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm |
auf Bestellung 1804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP18N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 52A |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| STP18N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP18N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 5.78 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| STP18N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.25 EUR |
| 51+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.3 EUR |
| STP18N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 52A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 52A
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP18N60M2 |
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 280mOhm; 13A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP18N60M2-VB; STP18N60M2 TSTP18N60M2
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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|---|---|
| 50+ | 5.3 EUR |
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| STPS20H100CFP (Transistor) Produktcode: 49976
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