STP18NM60N

STP18NM60N STMicroelectronics


stf18nm60n-1850450.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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Technische Details STP18NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP18NM60N STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
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STP18NM60N STP18NM60N Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP18NM60N STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM60N STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP18NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
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