STP18NM60N STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.51 EUR |
| 50+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
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Technische Details STP18NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP18NM60N nach Preis ab 2.26 EUR bis 6.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STP18NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh |
auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP18NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| STP18NM60N |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP18NM60N |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 1000+ | 2.26 EUR |
| STP18NM60N |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP18NM60N |
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auf Bestellung 20000 Stücke:
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