STP18NM60N STMicroelectronics
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Technische Details STP18NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP18NM60N nach Preis ab 1.71 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
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STP18NM60N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STP18NM60N |
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STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP18NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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