STP200N3LL STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
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| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 2000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details STP200N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP200N3LL nach Preis ab 1.69 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
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STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 176.5W Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 176.5W Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Kind of package: tube |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP200N3LL | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 176.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP200N3LL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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