STP200N3LL

STP200N3LL STMicroelectronics


en.DM00255610.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ 120 A, STripFET H6 Power MOSFET
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Technische Details STP200N3LL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 480A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Pulsed drain current: 480A
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 267 Stücke:
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50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002643122-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176.5W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1400 Stücke:
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics dm00255.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP200N3LL STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics dm00255.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP200N3LL Hersteller : STMicroelectronics dm00255.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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