STP20N65M5 STMicroelectronics


STP20N65M5.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.78 EUR
28+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STP20N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote STP20N65M5 nach Preis ab 2.73 EUR bis 8.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.63 EUR
10+3.92 EUR
100+3.53 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 STP20N65M5 STMICROELECTRONICS 2259158.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
57+4.08 EUR
100+3.43 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.63 EUR
10+3.92 EUR
100+3.53 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20N65M5 2259158.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.4 EUR
57+4.08 EUR
100+3.43 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH