STP20NM60 STMicroelectronics
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Technische Details STP20NM60 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP20NM60 nach Preis ab 2.04 EUR bis 9.98 EUR
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STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
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STP20NM60 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STP20NM60 | Hersteller : ST |
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| STP20NM60 | Hersteller : ST |
09+ |
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| STP20NM60 | Hersteller : STM |
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STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP20NM60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; Idm: 80A; 192W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC Pulsed drain current: 80A |
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