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STP20NM60FD

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Produktcode: 91778
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.7 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
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30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.7 EUR
32+5.49 EUR
100+4.82 EUR
1000+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics cd0000336.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.74 EUR
32+5.39 EUR
100+4.66 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics STP20NM60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.97 EUR
14+6.45 EUR
50+4.83 EUR
100+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics en.CD00003368.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 4709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+8.27 EUR
100+7.83 EUR
500+6.85 EUR
1000+6.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FD STP20NM60FD STMicroelectronics en.CD00003368.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.98 EUR
50+8.7 EUR
100+8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP20NM60FD STP20NM60FD STMICROELECTRONICS SGSTS31108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 12744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.15 EUR
29+8.19 EUR
100+6.91 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP20NM60FD cd0000336.pdf
STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.7 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.7 EUR
32+5.49 EUR
100+4.82 EUR
1000+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+4.66 EUR
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STP20NM60FD STP20NM60FD.pdf
STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 397 Stücke:
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14+6.45 EUR
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 4709 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.9 EUR
10+8.27 EUR
100+7.83 EUR
500+6.85 EUR
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STP20NM60FD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 365 Stücke:
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50+8.7 EUR
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STP20NM60FD
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 12744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.15 EUR
29+8.19 EUR
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