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STP20NM60FD STMicroelectronics

Name: STP20NM60FD
Brand: STMicroelectronics
SKU: 20996734-5
Price: 145.16 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Technische Details STP20NM60FD STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STP20NM60FD nach Preis ab 2.51 EUR bis 9.24 EUR

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STP20NM60FD

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

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50+	5.67 EUR
100+	5.59 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Hersteller : STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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STP20NM60FD
Produktcode: 91778

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