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STP24NF10

STP24NF10

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Produktcode: 1289
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 26 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/30
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9757 Stücke:
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253+0.68 EUR
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Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics STP24NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 116 Stücke:
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93+0.92 EUR
108+0.79 EUR
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics stp24nf10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics en.CD00002071.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
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STP24NF10 STP24NF10 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0014611833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP24NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 204 Stücke:
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159+1.46 EUR
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STP24NF10 STP24NF10 STMicroelectronics en.CD00002071.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1654 Stücke:
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50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP24NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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33+2.62 EUR
93+0.92 EUR
108+0.79 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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98+1.73 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
auf Bestellung 5206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.69 EUR
10+2.09 EUR
100+1.49 EUR
500+1.25 EUR
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STP24NF10 SGST-S-A0014611833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP24NF10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP24NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 26 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 204 Stücke:
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54+4.68 EUR
159+1.46 EUR
172+1.25 EUR
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STP24NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+2.37 EUR
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1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2456
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1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 3534 St.
  • 3534 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
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1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2431
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1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 5983 St.
  • 5983 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2428
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220uF 25V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 8100 St.
  • 8100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.075 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM339DT
Produktcode: 2064
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description en.CD00000460.pdf
LM339DT
Hersteller: ST
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: SO-14
Funktionsbeschreibung: Zählerkomparator ±18 (36) O 1.1mA (КФ1401СА1)
Versorgungsspannung Udss, V: ±18 В
Strom Id, A: 0,004 A
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
auf Bestellung: 317 St.
  • 317 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.26 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557B
Produktcode: 1826
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 42 St.
  • 42 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.06 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
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