STP26N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STP26N60M2 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ M2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 169W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.165Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote STP26N60M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 169W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
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| STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package |
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| STP26N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 169W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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