Produkte > STMICROELECTRONICS > STP28N60DM2

STP28N60DM2 STMICROELECTRONICS

Name: STP28N60DM2
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 5305613-6
Price: 217.25 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
25+	10.34 EUR
35+	6.77 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details STP28N60DM2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 170W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Weitere Produktangebote STP28N60DM2

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
STP28N60DM2	STM	MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP28N60DM2	STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP28N60DM2	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP28N60DM2	STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ DM2 Drain current: 14A Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP28N60DM2	STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP28N60DM2	STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STM
MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM2
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STP28N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH