STP28N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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Technische Details STP28N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STP28N60DM2 nach Preis ab 4.19 EUR bis 6.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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STP28N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
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STP28N60DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STP28N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP28N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP28N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP28N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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