
STP28N60M2 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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17+ | 4.39 EUR |
19+ | 3.95 EUR |
24+ | 3.03 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
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Technische Details STP28N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STP28N60M2 nach Preis ab 2.20 EUR bis 7.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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STP28N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 14A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP28N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP28N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP28N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
auf Bestellung 689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP28N60M2 | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP28N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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