STP28N60M2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.38 EUR |
| 35+ | 6.77 EUR |
| 100+ | 4.99 EUR |
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Technische Details STP28N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.
Weitere Produktangebote STP28N60M2 nach Preis ab 8.76 EUR bis 14.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W Version: ESD Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Case: TO220-3 On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ || Plus Drain current: 14A Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP28N60M2 | ST |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP28N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Version: ESD
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Version: ESD
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 14.17 EUR |
| STP28N60M2 |
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auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 8.76 EUR |