STP28N60M2

STP28N60M2 STMicroelectronics


39701715991589376dm00095328.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP28N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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250+ 4.45 EUR
500+ 4.08 EUR
1000+ 3.46 EUR
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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00095328.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
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100+ 4.61 EUR
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1000+ 3.51 EUR
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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2310309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 689 Stücke:
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STP28N60M2 Hersteller : ST en.DM00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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STP28N60M2 STP28N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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