STP28N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.21 EUR |
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| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
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Technische Details STP28N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP28N65M2 nach Preis ab 2.23 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V |
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STP28N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STP28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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