Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STP28NM50N

STP28NM50N

en.CD00271786.pdf
Produktcode: 126332
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STP28NM50N nach Preis ab 3.82 EUR bis 15.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.83 EUR
34+5.08 EUR
50+4.93 EUR
100+4.58 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.85 EUR
34+4.99 EUR
50+4.76 EUR
100+4.36 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
10+8.88 EUR
50+7.03 EUR
100+6.45 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.22 EUR
10+7.08 EUR
100+6.5 EUR
500+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N STP28NM50N STMICROELECTRONICS 2307864.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.77 EUR
30+7.84 EUR
100+6.64 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N stb28nm50n.pdf
STP28NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+7.83 EUR
34+5.08 EUR
50+4.93 EUR
100+4.58 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N stb28nm50n.pdf
STP28NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+7.85 EUR
34+4.99 EUR
50+4.76 EUR
100+4.36 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
STP28NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.15 EUR
10+8.88 EUR
50+7.03 EUR
100+6.45 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
STP28NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
auf Bestellung 667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.22 EUR
10+7.08 EUR
100+6.5 EUR
500+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28NM50N 2307864.pdf
STP28NM50N
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.77 EUR
30+7.84 EUR
100+6.64 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH