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STP28NM50N

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Produktcode: 126332
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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22+8.19 EUR
34+5.32 EUR
50+5.15 EUR
100+4.8 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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22+8.22 EUR
34+5.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
10+8.88 EUR
50+7.03 EUR
100+6.45 EUR
500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
auf Bestellung 524 Stücke:
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1+13.22 EUR
10+7.08 EUR
100+6.5 EUR
500+5.82 EUR
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STP28NM50N STP28NM50N STMICROELECTRONICS en.CD00271786.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.24 EUR
29+8.08 EUR
100+6.83 EUR
500+6.13 EUR
1000+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP28NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
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MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
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