STP33N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 10.48 EUR |
| 50+ | 8.3 EUR |
| 100+ | 7.11 EUR |
| 500+ | 6.32 EUR |
| 1000+ | 5.41 EUR |
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Technische Details STP33N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STP33N60DM2 nach Preis ab 5.15 EUR bis 10.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP33N60DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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