STP33N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STP33N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP33N60M2 nach Preis ab 3.01 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP33N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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