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STP34NM60N

STP34NM60N STMicroelectronics

1685408732066370cd002.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP34NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics 1685408732066370cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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10+9.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics en.CD00279556.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
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2+19.33 EUR
50+10.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP34NM60N STP34NM60N STMicroelectronics en.CD00279556.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+11.52 EUR
500+10.86 EUR
1000+10.14 EUR
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STP34NM60N STP34NM60N STMICROELECTRONICS en.CD00279556.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.22 EUR
19+12.63 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP34NM60N ST en.CD00279556.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
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MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
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10+11.52 EUR
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1000+10.14 EUR
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STP34NM60N
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.22 EUR
19+12.63 EUR
100+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
5+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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