STP35N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.48 EUR |
| 50+ | 3.87 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 2.91 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP35N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP35N60DM2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP35N60DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
STP35N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STP35N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
STP35N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
STP35N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
STP35N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |