STP38N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.46 EUR |
| 50+ | 6.05 EUR |
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 4.61 EUR |
| 1000+ | 4.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP38N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Weitere Produktangebote STP38N65M5 nach Preis ab 4.82 EUR bis 14.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP38N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
STP38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| STP38N65M5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.5 EUR |
| 10+ | 6.07 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
| 500+ | 4.82 EUR |
| STP38N65M5 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.95 EUR |
| 31+ | 7.72 EUR |
| 100+ | 6.64 EUR |
| 500+ | 6.49 EUR |