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STP3N80K5

STP3N80K5 STMicroelectronics

12076030974746343.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP3N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Weitere Produktangebote STP3N80K5 nach Preis ab 1.25 EUR bis 5.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP3N80K5 STP3N80K5 STMicroelectronics std3n80k5-955671.pdf MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+1.94 EUR
100+1.76 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
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STP3N80K5 STP3N80K5 STMicroelectronics en.DM00090304.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
50+2 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STP3N80K5 STP3N80K5 STMICROELECTRONICS 2371905.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
76+3.08 EUR
122+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STP3N80K5 STP3N80K5 STMicroelectronics 12076030974746343.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
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STP3N80K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP3N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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