STP3NB60
Produktcode: 23835
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/15
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STP3NB60 | STMicroelectronics | MOSFETs |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP3NB60 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs
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