STP3NK90Z STMicroelectronics
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Technische Details STP3NK90Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP3NK90Z nach Preis ab 0.65 EUR bis 4.14 EUR
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.89A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.89A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP3NK90Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| STP3NK90Z | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP3NK90Z Produktcode: 185207
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STP3NK90Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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