STP42N60M2-EP STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 4.02 EUR |
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Technische Details STP42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP42N60M2-EP nach Preis ab 4.02 EUR bis 11.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V |
auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP42N60M2-EP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 136A Gate charge: 55nC |
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