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STP43N60DM2

STP43N60DM2 STMicroelectronics

780dm00128991.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP43N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP43N60DM2 STP43N60DM2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001540735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 416 Stücke:
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23+10.97 EUR
44+5.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP43N60DM2 STP43N60DM2 STMicroelectronics STP43N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 2800 Stücke:
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1+11.52 EUR
10+6.09 EUR
100+5.57 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.49 EUR
5000+4.27 EUR
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STP43N60DM2 STP43N60DM2 STMicroelectronics STP43N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
50+6.2 EUR
100+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP43N60DM2 SGST-S-A0001540735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.52 EUR
10+6.09 EUR
100+5.57 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.49 EUR
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Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
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