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STP45N65M5

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Produktcode: 144919
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics stb45n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Drain current: 22A
auf Bestellung 34 Stücke:
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8+11.16 EUR
10+8.91 EUR
11+7.81 EUR
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21+8.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STP45N65M5 STP45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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100+8.27 EUR
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STP45N65M5 STP45N65M5 STMICROELECTRONICS SGSTS48869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2148 Stücke:
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13+19.24 EUR
17+14.22 EUR
22+9.75 EUR
50+9.37 EUR
100+8.95 EUR
250+8.78 EUR
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STP45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP45N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 210W
Version: ESD
Drain current: 22A
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MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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STP45N65M5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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13+19.24 EUR
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