Weitere Produktangebote STP45N65M5 nach Preis ab 5.36 EUR bis 13.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
auf Bestellung 3414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |