STP45N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STP45N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - MOSFET, N-KANAL, 650V, 35A, TO220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP45N65M5 nach Preis ab 4.52 EUR bis 14.8 EUR
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 210W Version: ESD Gate-source voltage: ±25V Drain current: 22A |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
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STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP45N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - MOSFET, N-KANAL, 650V, 35A, TO220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STP45N65M5 Produktcode: 144919
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STP45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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