STP50N60DM6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 6.72 EUR |
| 18+ | 4.03 EUR |
| 50+ | 4 EUR |
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Technische Details STP50N60DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP50N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP50N60DM6 nach Preis ab 4 EUR bis 9.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STP50N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 137A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP50N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP50N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP50N60DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP50N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP50N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP50N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |