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STP57N65M5

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Produktcode: 101868
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ZCODE: 8541 29 00 10
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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18+9.89 EUR
50+9.32 EUR
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STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 1092 Stücke:
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2+19.37 EUR
50+10.76 EUR
100+9.94 EUR
500+8.48 EUR
1000+8.35 EUR
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STP57N65M5 STP57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
auf Bestellung 1806 Stücke:
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10+10.81 EUR
100+9.97 EUR
500+9.72 EUR
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STP57N65M5 STP57N65M5 STMICROELECTRONICS 2124346.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1983 Stücke:
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STP57N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1983 Stücke:
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