STP5N80K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 33+ | 2.2 EUR |
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| 50+ | 1.43 EUR |
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Technische Details STP5N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Weitere Produktangebote STP5N80K5 nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP5N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 60W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: THT Gate charge: 5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP5N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP5N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 136-150 Tag (e) |
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STP5N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP5N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |