STP5NB60
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Technische Details STP5NB60 ST
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STP5NB60 Produktcode: 23830
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Lieblingsprodukt
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ST |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Uds,V: 600 Idd,A: 5 Rds(on), Ohm: 01.08.2015 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
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STP5NB60 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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STP5NB60 | STMicroelectronics |
MOSFETs |
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| STP5NB60 Produktcode: 23830
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
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| STP5NB60 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
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