STP60N043DM9 STMicroelectronics
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Technische Details STP60N043DM9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP60N043DM9 nach Preis ab 8.08 EUR bis 16.4 EUR
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STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
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STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP60N043DM9 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP60N043DM9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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