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STP60N043DM9

STP60N043DM9 STMicroelectronics

stp60n043dm9-2943597.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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Technische Details STP60N043DM9 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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STP60N043DM9 STP60N043DM9 Hersteller : STMICROELECTRONICS 3773983.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 56 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STP60N043DM9 STP60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STP60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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STP60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STP60N043DM9 STP60N043DM9 Hersteller : STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
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