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STP65N045M9

STP65N045M9 STMicroelectronics

stp65n045m9.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
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Technische Details STP65N045M9 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M9 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP65N045M9 STP65N045M9 Hersteller : STMicroelectronics stp65n045m9.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
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STP65N045M9 STP65N045M9 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00741546.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STP65N045M9 STP65N045M9 Hersteller : STMICROELECTRONICS 3770235.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M9 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
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