STP65N150M9 STMicroelectronics
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Technische Details STP65N150M9 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STP65N150M9 nach Preis ab 3.03 EUR bis 6.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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STP65N150M9 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STP65N150M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.128 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V |
auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
N-Channel 650 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 32nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP65N150M9 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 12.5A; Idm: 60A Case: TO220-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 32nC Mounting: THT Technology: MDmesh™ M9 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube |
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