STP6NK50Z
Hersteller:
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP6NK50Z
Description: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote STP6NK50Z
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| STP6NK50Z | STM |
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
STP6NK50Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
STP6NK50Z | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP6NK50Z |
|
Hersteller: STM
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
N-кан. MOSFET 500V, 8A, 0.85Ом, 125Вт, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STP6NK50Z |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| STP6NK50Z |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp
MOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH