STP6NK60Z STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STP6NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP6NK60Z nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP6NK60Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 6A 600V 125W 1Ω Replacement: STP6NC60 STP6NK60Z TSTP6NK60Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP6NK60Z |
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auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| STP6NK60Z |
STP6NK60Z Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP6NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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