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STP6NK60ZFP

STP6NK60ZFP

STP6NK60ZFP.pdf
Produktcode: 1169
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 6
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP6NK60ZFP ST

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:600V
  • Cont Current Id:6A
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Max Voltage Vds:600V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:1.2ohm
  • Power Dissipation:32W
  • Power Dissipation Pd:32W
  • Pulse Current Idm:24A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA41244218FE469&compId=STP6NK60Z.pdf?ci_sign=7cacd90d692a264d128c16c7b1ecd26d72fed7a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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47+1.54 EUR
57+1.26 EUR
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA41244218FE469&compId=STP6NK60Z.pdf?ci_sign=7cacd90d692a264d128c16c7b1ecd26d72fed7a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 110W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002937.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
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50+2.04 EUR
100+1.78 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics stb6nk60z-1850284.pdf MOSFETs N-Channel 600V Zener SuperMESH
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP6NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics 816157636236431cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP6NK60ZFP Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00002937.pdf MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
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UC3842BN
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description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
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10+0.42 EUR
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KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661
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description KBP310.pdf
KBP310 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 1394 Stück
200 Stück - stock Köln
1194 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30 Stück
Anzahl Preis
1+0.75 EUR
10+0.7 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000)
Produktcode: 115562
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kls5-1009-1010_datasheet.pdf
Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000)
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
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ES1D
Produktcode: 175546
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es1-datasheet.pdf
ES1D
Hersteller: Vishay/Yongyutai
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Trr, ns: 20 ns
auf Bestellung 409 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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