STP80N600K6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
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Technische Details STP80N600K6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STP80N600K6 nach Preis ab 1.42 EUR bis 5.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STP80N600K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP80N600K6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP80N600K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP80N600K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP80N600K6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 10.7nC |
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