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STP80NF10

STP80NF10

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Produktcode: 33804
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Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4300/140
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP80NF10

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:80A
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:200mJ
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:300W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.015ohm
  • Pin Configuration:a
  • Power Dissipation:300W
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:320A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Capacitance Ciss:5500pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:106ns
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics cd0000199.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.57 EUR
77+2.27 EUR
100+1.99 EUR
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STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics cd0000199.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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58+3.06 EUR
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100+3.13 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics cd0000199.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics STP80NF10.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.64 EUR
20+4.34 EUR
26+3.3 EUR
32+2.73 EUR
40+2.49 EUR
50+2.38 EUR
100+2.13 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics en.CD00001997.pdf description MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
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1+7.27 EUR
10+3.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.37 EUR
5000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80NF10 STP80NF10 STMicroelectronics en.CD00001997.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 821 Stücke:
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3+7.39 EUR
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100+3.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP80NF10 STP80NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS31358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 9079 Stücke:
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31+8.07 EUR
51+4.62 EUR
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STP80NF10 ST en.CD00001997.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP80NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
58+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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20+4.34 EUR
26+3.3 EUR
32+2.73 EUR
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MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
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STP80NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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STP80NF10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 9079 Stücke:
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51+4.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP80NF10 description en.CD00001997.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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